氦質(zhì)譜檢漏儀 CVD 設(shè)備檢漏, 滿足第三代半導(dǎo)體芯片量產(chǎn)
上海伯東某客戶是一家以先進(jìn)化合物半導(dǎo)體光電器件相關(guān)產(chǎn)品衍生智造為主業(yè)的創(chuàng)新型科技公司, 核心產(chǎn)品是物聯(lián)網(wǎng), 5G 通訊, 安防監(jiān)控等第三代半導(dǎo)體芯片. 芯片在生產(chǎn)過程中使用 CVD 設(shè)備做鍍膜處理, 在鍍膜過程中需要保持設(shè)備處于超高真空狀態(tài), 這就要求腔體的泄漏率不能超過 1E-10 mbrl l/s.

CVD 設(shè)備檢漏要求
真空模式下, 漏率不能超過 1E-10 mbrl l/s
快速抽空, 清潔無損的檢漏

上海伯東氦質(zhì)譜檢漏儀 CVD 設(shè)備檢漏方案
根據(jù)客戶 CVD 抽氣腔體大小和要求清潔無油的測試環(huán)境, 上海伯東推薦德國 Pfeiffer 無油干式氦質(zhì)譜檢漏儀 ASM 340D 搭配日本 IWATA ISP-500C 渦旋干泵進(jìn)行 CVD 設(shè)備檢漏.

檢漏過程: 真空模式檢漏, CVD 設(shè)備, 氦質(zhì)譜檢漏儀 ASM340 D 和 ISP-500C 渦旋泵搭建為三通系統(tǒng), 檢漏流程是先把 CVD 設(shè)備封閉, 再打開檢漏的接口, 然后啟動渦旋泵預(yù)抽腔體真空至 1500 Pa. 腔體真空度穩(wěn)定在 1500 Pa 后, 啟動氦質(zhì)譜檢漏儀, 設(shè)定檢漏儀漏率為 1E-10 mbrl l/s, 從腔體外面噴氦氣 He(在懷疑有漏的部位,比如閥門, 接口, 焊接處等地方), 如果漏率低于 1E-10 mbrl l/s, 則判定為設(shè)備泄漏率是合格的, 如果泄漏率高于 1E-10 mbrl l/s, 檢漏儀會報(bào)警, 并定點(diǎn)定量顯示噴氦氣的位置和漏率.

結(jié)合了 Pfeiffer 與 Adixen 兩家檢漏儀的技術(shù)優(yōu)勢, 上海伯東德國 Pfeiffer 推出全系列新型號氦質(zhì)譜檢漏儀, 從便攜式檢漏儀到工作臺式檢漏儀滿足各種不同的應(yīng)用. 氦質(zhì)譜檢漏儀替代傳統(tǒng)泡沫檢漏和壓差檢漏, 利用氦氣作為示蹤氣體可定位, 定量漏點(diǎn). 氦質(zhì)譜檢漏儀滿足單機(jī)檢漏, 也可集成在檢漏系統(tǒng)或 PLC. 推薦氦質(zhì)譜檢漏儀應(yīng)用 >>

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